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Typical Characteristics
10
4500
8
I D = 7.3A
V DS = 20V
80V
50V
4000
3500
f = 1MHz
V GS = 0 V
3000
6
4
2
0
2500
2000
1500
1000
500
0
C ISS
C OSS
C RSS
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100
200
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10000
100
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
10 μ s
100 μ s
1 ms
1000
SINGLE PULSE
R θ JC = 1.8 o C/W
T C = 25 o C
T C = 25 C
R θ JC = 1.8 o C/W
o
CURVE BENT TO
MEASURED DATA
10 ms
DC
100
10
10
10
10
0.1
1
10
100
200
50 -5
10
-4
-3
-2
-1
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P DM
t 1
t 2
R θ JC = 1.8 C/W
0.01
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10
10
10
10
10
0.005
-5
-4
-3
-2
-1
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 11. Junction-to-Case Transient Thermal Response Curve
FDD3670 Rev C1
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